Transistor MOSFET Canal N IRFB4227PBF 200V 65A

Descripción:  

Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.

Características: 

Tensión disruptiva (Vds): 200 V

Corriente de drenaje continua (Id): 65 A

Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ

Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V

Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V

Carga de puerta (Qg): 70 nC

Disipación de potencia (Pd): 330 W

Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)

Configuración: Single (único canal)

Tipo de transistor: N-Channel MOSFET