Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220

Descripción: 

La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.

El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta. 

Características: 

Tipo de producto: MOSFET

Polaridad del transistor: Canal N

Número de canales: 1 canal

Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V

Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω

Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V

Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C

Disipación de potencia: 100 W

Modo de canal: Mejora (Enhancement)

Configuración: Único

Tiempo de caída: 5 ns

Tiempo de subida: 8 ns

Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns

Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)

Encapsulado/Caja: TO-220-3