Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT

Fabricante: STMicroelectronics

Categoría de producto: Transistores IGBT

RoHS: Detalles

Tecnología: Si

Paquete / Cubierta: TO-247-3

Estilo de montaje: Through Hole

Configuración: Single

Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 650 V

Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8 V

Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V

Colector de Corriente Continua a 25 C: 80 A

Dp - Disipación de potencia : 283 W

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Serie: STGW40H65DFB

Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A

Corriente de fuga puerta emisor: 250 nA

Tipo de producto: IGBT Transistors

Subcategoría: IGBTs

Peso de la unidad: 8 g

Contenido:

1 x Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT