Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)

MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220

Polaridad del transistor: Canal N

ID de corriente de drenaje continuo: 33A

Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V

En resistencia Rds (encendido): 44 mohm

Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V

Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V

Estilo de caja de transistores: TO-220AB

N.º de Pines: 3

Corriente, ID máx.: 33A

Temperatura actual: 25°C

Marcador: IRF540N

Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C

Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W

Espaciado de plomo: 2,54 mm

N.º de Transistores: 1

Disipación de potencia Pd: 94W

Disipación de potencia Pd: 94W

Idm de corriente de pulso: 110A

Voltaje Vds Tipo: 100V

Voltaje Vgs Max: 4V

Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V

Incluye:

1 x