Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x