Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)

Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) presenta una construcción de trinchera robusta y rentable, y proporciona un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, ofreciendo tanto voltaje de estado bajo como pérdida de conmutación mínima.

Características

• Optimizado para VCEsat muy bajo

• La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de energía del sistema

• Capacidad de cortocircuito de 5 s

• Estos son dispositivos libres de Pb

Aplicaciones Típicas

• Inversores solares

• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)

• Accionamientos de motor