Descripción:
El transistor MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor, por sus siglas en inglés) IRFP460A es un tipo de transistor de potencia de canal N. Está diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia y puede manejar corrientes significativas y voltajes relativamente altos.
Características:
Tipo de transistor: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Corriente de drenaje (Id Max): 20A
Voltaje Vds Max: 500V
Potencia (Máx): 250W
Tipo de Canal: N (esto significa que conduce corriente cuando se aplica un voltaje positivo en el terminal de puerta).
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): Especifica el voltaje máximo que puede aplicarse entre los terminales de drenaje y fuente.
Corriente de Drenaje Continua (Id): Indica la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está completamente encendido.
Voltaje Umbral de Puerta (Vgs(th)): Es el voltaje mínimo requerido en la terminal de puerta para que el MOSFET comience a conducir.
Resistencia de Encendido (Rds(on)): Representa la resistencia del dispositivo cuando está completamente encendido. Una Rds(on) baja significa que el MOSFET tiene una menor caída de voltaje cuando está conduciendo corriente.
Incluye:
1x Transistor MOSFET IRFP460A
C7F4 / BE4L4C6 SPSC4F1
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