descripcion:
El RJP63F3 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de silicio y canal N, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
Aplicaciones Comunes:
Televisores de Plasma y LCD: Muy utilizado en las placas de potencia de pantallas Panasonic y otras marcas.
Sistemas de Potencia: Gestión de energía, convertidores DC-DC y control de motores.
Electrónica de Consumo: Circuitos de iluminación y climatización (HVAC).
Características : Puerta de trinchera y oblea delgada (Serie G6H).Empaque TO-220FL: Es un paquete aislado, lo que facilita el montaje en disipadores sin necesidad de aislantes externos adicionales en algunos casos.
Voltaje Colector-Emisor VCES: 630 V
Voltaje Puerta-Emisor VGES: 30 V o -30 V
Corriente de Colector IC: 40 A
Corriente de Colector Pico ic peak: 200 A para pulsos cortos de 10 microsegundos o menos
Disipación de Potencia PC: 30 W
Temperatura de Unión Tj: Máximo 150 grados Celsius
Temperatura de Almacenamiento Tstg: -55 a 150 grados Celsius
Voltaje de Saturación VCE sat: 1.7 V típico
Tiempo de Conmutación tf: 100 ns típico
contenido:
1 X Transistor IGBT RJP63F3 TO-220F
modulador de ancho de pulso Regulador de voltaje PWM SG3525ANG(PDIP)
Resistencia de descarga de alta potencia de 4 tipos Probador
Optoacoplador de transistor de alta velocidad 6N136 DIP 8
dos unidades de puente rectificador de media onda 1A 1000v
Controlador de audio digital IRS20957S SOP16 SMD
Microcontrolador de 8 bits con 13 pines I/O disponibles
0.1MM alambre de cobre para soldadura
Diodo LED RGB 5mm 2 pines Transición Lenta o Rapida (10U)
Extension pigtail Ipex a conector SMA 1.5mm MHF
MOC3021 Optoaisladores de fase aleatoria Triac Driver Salida DIP-6
Transistor IGBT RJP63F3 TO-220F
