Descripcion:
Código: 13NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Especificaciones maximas:
Disipación total del dispositivo Pd: 25 W
Tensión drenaje-fuente vds: 600 V
Tensión compuerta-fuente vgs: 25 V
Corriente continua de drenaje id: 11 A
Temperatura operativa máxima tj: 150 C
Caracteristicas electricas:
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs th: 4 V
Carga de compuerta Qg: 30 nC
Tiempo de elevación tr: 8 nS
Conductancia de drenaje sustrato Cd: 60 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS on: 0.36 Ohm
Empaquetado Estuche: TO220FP
Contenido:
1 x Circuito integrado 13NM60N 13A 600V
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Transistor MOSFET Canal N 13NM60N 600V 13A
