El Diodo de barrera Schottky de pequeña señal diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, detección y rectificación de baja corriente. Este semiconductor destaca por su estructura compacta en encapsulado de vidrio axial, ofreciendo una caída de voltaje directa extremadamente baja y una respuesta óptima en circuitos de alta frecuencia. Es un componente fundamental muy utilizado como detector de señales en receptores de radio AM, FM, equipos de televisión, grabadoras y sistemas de comunicación telefónica.
Caracteristicas:
Tipo de circuito: Diodo Schottky de unión metal-silicio
Circuito integrado principal: Estructura epitaxial planar de silicio
Sensores ópticos: Banda de color integrada que denota el extremo del cátodo
Voltaje de operación nominal: Voltaje inverso de pico repetitivo máximo de 45V
Alimentación eléctrica: Corriente directa continua máxima de 50mA y corriente de sobrepico de hasta 500mA
Mecanismo de tracción: Pines metálicos extendidos y pre-estañados aptos para montaje pasante (Through-Hole)
Dimensiones generales del automóvil: 4.2 mm de largo por 2.0 mm de diámetro de cuerpo aproximadamente
Material del chasis principal: Encapsulado hermético de vidrio cilíndrico tipo DO-35
Especificaciones técnicas:
Modelo del componente: 1N60P
Voltaje inverso de pico repetitivo máximo VRRM: 45 V
Voltaje inverso continuo máximo VR: 40 V
Corriente directa continua máxima IO: 50 mA
Corriente directa de sobrecarga pico máxima IFSM: 500 mA (Para un ciclo de 1 s)
Voltaje de caída directa máximo VF: 0.5 V (Evaluado a una corriente de 1 mA)
Corriente de fuga inversa máxima IR: 5 uA (A un voltaje inverso de 10V)
Capacitancia total del diodo CT: 6 pF
Rango de temperatura operativa y de almacenamiento TSTG: -65 °C a +125 °C
Configuración de terminales: Ánodo (Terminal libre) y Cátodo (Terminal marcado con la banda negra)
