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Transistor MOSFET IRF740PBF

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Impuestos incluidos

Transistor MOSFET IRF740PBF

Cantidad

Caracteristicas:

Categoría de producto: MOSFET

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V

Id - Corriente de drenaje continua: 10 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg - Carga de puerta: 63 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp - Disipación de potencia: 125 W

Modo canal: Mejora

Empaquetado: Tube

Configuración: Single

Altura: 15,49 mm

Longitud: 10,41 mm

Serie: IRF

Tipo de transistor: 1 canal N

Ancho: 4,7 mm

Transconductancia hacia delante - Mín .: 5,8 S

Tiempo de caída: 24 ns

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 27 ns

Cantidad de empaque de fábrica: 1000

Subcategoría: MOSFETs

Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns

Alias ​​de las piezas n.º: IRF740PBF-BE3 SIHF740-E3

Peso de la unidad: 6 g

C1D8
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